国元证券：“十四五规划”或力挺，第三代半导体概念值得持续跟踪

　　近期利好第三代半导体发展的政策被多次提出，A股市场上与第三代半导体相关的个股出现大幅上涨。

　　而市场对于第三代半导体反应如此激烈，我们认为主要源于以下两个方面。第一，第三代半导体研发成功对我民用和军事领域都有极大的好处，未来的盈利较为可观；第二，政策力度加大，未来国产第三代半导体研发和量产的确定性高。

　　基于以上两点原因，造成了近期半导体板块个股的异动。下面我们就第三代半导体的发展状况、当下的政策环境以及第三代半导体相关公司进行简介。

　　第三代半导体简而言之就是以氮化镓、氧化硅等为代表的第三代半导体材料。

　　相较于第一代以硅为半导体材料和第二代以砷化镓为半导体材料，第三代半导体有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高键合等优点。简单来讲，用第三代半导体的设备相对于使用前两代半导体的设备，可以适应更高的温度、电流、频率且耗能更少，输出功率更大。

　　凭借上述优点，第三代半导体材料的应用主要有三个方面：光电子、微波射频、电力电子。

　　在民用商业领域，氮化镓半导体可用于5G基站建设、卫星通信、各类小家电的生产，也可用于电动汽车、消费电子等领域的直流、交流输变电、温度检测控制等方面；在军事领域以氮化镓为半导体材料制作的氮化镓基微波功率器可用于雷达、电子对抗、导弹和无线通信通，以碳化硅为代表的半导体。也可用于喷气发动机、坦克发动机、舰艇发动机、风洞、航天器外壳的温度、压力测试等。

　　在电动汽车上，根据Yole预测，到2024年SiC功率半导体市场规模将增长至20亿美元，其中，汽车市场占SiC功率半导体市场比重到2024年预计将达50%。

　　在5G基站建设上，Yole数据显示，5G通信的快速崛起，成为GaN技术发展的重要契机。预计到2023年，全球GaNRF器件市场规模将达到13亿美元。

　　近期在南京的世界半导体大会暨第三大半导体产业发展高峰论坛上，国家新材料产业发展专家咨询委员会委员，第三代半导体产业技术创新战略联盟理事长吴林透露，强调第三代半导体可能要写入十四五规划。同时本月国务院发布了8号文，关于印发新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展若干政策的通知中，有两条跟第三代半导体相关的。

　　在一个月内，已有多条关于第三代半导体研发的利好消息传出，由此可见国家政策力度之大。而从近年来国家发布相关政策的频率也可以看出，我国关于发展第三代半导体的态度越来越明确。

　　第一，第三代半导体相比较第一代第二代半导体处于发展初期，国内和国际巨头基本处于同一起跑线，存在弯道超车的可能。而且第三代半导体强大的性能有利于我国其他科技行业的发展。研发一旦成功，我国在第三代半导体的使用上将不会受制于他国。

　　第二，中国未来的第三代半导体应用市场十分丰富，我们可以根据市场自主定义产品，不需要跟随国际巨头做国产化替代。而且相较于其他国家我国第三代半导体的下游市场更加开阔。

　　第三，第三代半导体研发的难点在于制作工艺，而不在设备和逻辑电路设计，工艺开发具有偶然性，相比较逻辑芯片难度降低。而且因为对设备要求相对较低，投资额小，该领域的参与门槛会相对较低。在政策和资金的推动下，第三代半导体研发的参与者会增多，提高研发成功的概率。

　　我国第三代半导体研发进度如何，哪些公司与其相关？

　　中国在第三代半导体研发上速度较快，已经进入广泛产业化和受益阶段，逐渐具备与国际巨头齐头并进和换道超车的基础条件。主要企业有:中电科、天科合达、泰科天润、东莞天域、山东天岳、深圳基本半导体、上海瞻芯电子、三安集成等。

　　目前第三代半导体处于发展初期。相关上市公司大多数处于研发阶段，或者产品处于推广初期，对上市公司收入贡献很小。目前二级市场适合从概念股的角度选择投资标的。

　　华润微：在研项目“硅基氮化镓功率器件设计及工艺技术研发”，其研究产品将应用于智能手机充电器、电动汽车充电器、电脑适配器等领域。而且其拥有国内首条6英寸商用SiC晶圆生产线，并且已正式开始量产 。

　　三安光电：子公司三安集成在微波射频领域已建成专业化、规模化的4英寸、6英寸化合物晶圆制造产线，并规划用地281亩,总投资额30亿元用于生产6万片/年GaN高功率半导体外延片和6万片/年GaN高功率半导体芯片。

　　士兰微：公司拥有稳定运行的5、6、8英寸芯片生产线和正在建设的12英寸芯片生产线和先进化合物芯片生产线。其在化合物功率半导体器件的研发上继续加大投入，将尽快推出硅基GaN功率器件以及完整的应用系统；同时加快SiC功率器件产线的建设。其控股的杭州士兰明芯片科技公司，主业经营范围为设计、制造：发光半导体器件、化合物半导体器件以及半导体照明设备；销售自产产品；货物进出口。

　　扬杰科技：储备硅基氮化镓技术和人才。完成了高压碳化硅产品的开发设计。公司产品包含碳化硅SBD、碳化硅JBS等。

　　海特高新：子公司海威华芯在GaN领域拥有249项专利，建成国内首条6英寸化合物半导体商用生产线，支持功率放大器、低噪音放大器等产品的制造。

　　总的来说，第三代半导体的发展已是大势所趋，现有半导体的研发已经出现物理极限。若无法进行第三代半导体的突破，将极大地限制我国科技的发展，因此我们觉得随着后续相关政策的发行与落地，与第三代半导体相关的公司将会持续受益，建议投资者持续跟踪。

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